PDTA115ES分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTA115ES |
| 參數(shù)屬性 | PDTA115ES 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線 |
| 文件大小 |
420.47 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-29 9:32:00 |
PDTA115ES規(guī)格書詳情
FEATURES
?Built-in bias resistors
?Simplified circuit design
?Reduction of component count
?Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
?General purpose switching and amplification
?Inverter and interface circuits
?Circuit driver.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTA115ES,126
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
150mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
2232 |
con |
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