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PDTA113ET	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA113ET	文件：121.12 Kbytes Page：18 Pages	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTA113ET,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PDTA113EU	文件：121.12 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTA113EU	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA113Z	文件：121.85 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTA113Z	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA113Z_SER	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA113ZE	文件：121.85 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTA113ZE	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA113ZK	文件：121.85 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTA113ZK	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA113ZM	文件：121.85 Kbytes Page：18 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PDTA113ZM	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTA113ZMB	文件：628.36 Kbytes Page：13 Pages	PNPresistor-equippedtransistor;R1=1k廓,R2=10k廓	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PDTA113ZS	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PDTA113ZT	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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詳細參數(shù)

型號：
PDTA113ET
功能描述：
開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多PDTA113ET供應商更新時間2025-1-5 18:15:00

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