首頁>PD57070S>規(guī)格書詳情

PD57070S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD57070S
廠商型號

PD57070S

參數(shù)屬性

PD57070S 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

功能描述

RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤

文件大小

296.84 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-6 18:41:00

人工找貨

PD57070S價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

PD57070S規(guī)格書詳情

PD57070S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57070S晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD57070S

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    14.7dB

  • 額定電流(安培):

    7A

  • 功率 - 輸出:

    70W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-PowerSO

  • 描述:

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
22+
10PowerSO
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
NIKO
10+
TO-252
5000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ST
2024+
PowerSO-10RF
16000
原裝優(yōu)勢絕對有貨
詢價
ST
24+
35200
一級代理/放心采購
詢價
ST/意法
21+
to59
5000
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可開增值稅13點
詢價
ST
22+23+
SMD
36700
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
詢價
ST
23+
原廠原封
16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價
STM原廠目錄
24+
PowerSO-10RF
96000
全新原裝
詢價
ST/意法
23+
to59
5000
原裝正品實單必成
詢價
ST/意法
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價