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PD57006STR-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD57006STR-E |
| 參數(shù)屬性 | PD57006STR-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線） |
| 文件大小 |
512.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-7 11:22:00 |
PD57006STR-E規(guī)格書詳情
PD57006STR-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的PD57006STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD57006STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
15dB
- 額定電流（安培）：
1A
- 功率 - 輸出：
6W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST |
2023+ |
3000 |
進口原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
ST/意法 |
22+ |
QFN |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
ST/意法 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
PowerSO-10RF |
94800 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
POWERSO-10RF |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST |
2024+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 | ||
ST |
2021+ |
NA |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原廠原封 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 |
