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PD54003S-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD54003S-E |
| 參數(shù)屬性 | PD54003S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
445.21 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-6 12:16:00 |
| 人工找貨 | PD54003S-E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PD54003S-E規(guī)格書詳情
PD54003S-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD54003S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
The PD54003 is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 7V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. The PD54003 features the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology, the PowerSO-10RF. The superior linearity performance makes it an ideal solution for portable radios.
General features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration
■ POUT = 3W with 12dB gain @ 500MHz
■ New RF plastic package
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD54003S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
12dB
- 額定電流（安培）：
4A
- 功率 - 輸出：
3W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
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詢價(jià) | ||
ST |
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QFN |
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ST/意法 |
23+ |
QFN |
94600 |
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ST(意法) |
23+ |
NA/ |
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ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
PowerSO10 |
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NA |
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ST |
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