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PBSS9110T

100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS8110T. FEATURES ?SOT23package ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration APPLICATIONS ?Major

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS9110T

Marking：U7；Package：SOT23；100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS8110T 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat ?Highcollectorcurrentcapability ?High

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS9110T

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS9110T-Q

Marking：U7；Package：SOT23；100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS8110T 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat ?Highcollectorcurrentcapability ?High

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS9110T_15

100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS9110T,215

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 100V 1A TO236AB

Nexperia USA Inc.

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    PBSS9110T

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PBSS9110T供應商 更新時間2025-6-8 16:10:00

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