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PBSS8110S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS8110S
廠商型號

PBSS8110S

參數(shù)屬性

PBSS8110S 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 1A TO92-3

功能描述

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

文件大小

54.37 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 14:50:00

PBSS8110S規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN low VCEsat BISS transistor in a SOT54 plastic package.

FEATURES

? SOT54 package

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability: IC and ICM

? Higher efficiency leading to less heat generation.

APPLICATIONS

? Automotive 42 V power

? Telecom infrastructure

? General industrial applications

? Power management

– DC/DC converters

– Supply line switching

– Battery charger

– LCD backlighting.

? Peripheral drivers

– Generic driver (e.g. lamps and LEDs)

– Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS8110S,126

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 250mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

  • 供應商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A TO92-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA/安世
22+
SOT-23
20000
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價格可談
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15100
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NXP/恩智浦
23+
SOT23
10000
公司只做原裝正品
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PHILIPS/飛利浦
23+
SOT-23
8215
原廠原裝
詢價
Nexperia/安世
22+
SOT-23
57000
原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅
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NXP/恩智浦
22+
TO-92
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
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2020+
SOT-23
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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NXP/恩智浦
20+
SOT-23
43000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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