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PBSS5250TH分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PBSS5250TH |
| 參數(shù)屬性 | PBSS5250TH 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB |
| 功能描述 | 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | TO-236AB / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
248.7 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-14 20:00:00 |
PBSS5250TH規(guī)格書詳情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Features and benefits
? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High collector current capability: IC and ICM
? High collector current gain (hFE) at high IC
? Higher efficiency leading to less heat genereation
? High temperature applications up to 175 °C
? AEC-Q101 qualified
Applications
? Power management
? DC-to-DC conversion
? Supply line switches
? Battery charger switches
? Peripheral drivers
? Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
? Inductive load driver
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PBSS5250THR
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 200mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 2A，2V
- 頻率 - 躍遷：
100MHz
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-236AB
- 描述：
PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA/ |
21250 |
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詢價(jià) | ||
NXP |
2016+ |
SOT89 |
6000 |
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詢價(jià) | ||
2017+ |
SOT-89 |
6528 |
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詢價(jià) | |||
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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NXP |
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