PBSS5220V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PBSS5220V |
參數(shù)屬性 | PBSS5220V 封裝/外殼為SOT-563,SOT-666;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT666 |
功能描述 | 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
封裝外殼 | SOT-563,SOT-666 |
文件大小 |
296.15 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-17 13:30:00 |
PBSS5220V規(guī)格書詳情
Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability: IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PBSS5220V,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
390mV @ 200mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
155 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
185MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-563,SOT-666
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-666
- 描述:
TRANS PNP 20V 2A SOT666
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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