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PBSS5160K	文件：124.85 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT346(SC-59A)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PBSS5160K	文件：125.18 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT346(SC-59A)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highco	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS5160PAP	文件：276.04 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PBSS5160PAP	文件：751.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAPS	文件：763.04 Kbytes Page：19 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160QA	文件：264.01 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PBSS5160QA	文件：743.81 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4160QA. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS5160T	文件：109.09 Kbytes Page：10 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Highefficiency,reducesheatgeneration ?Reducesprinted-circuitboardarearequired ?	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS5160T	文件：698.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5160T	文件：696.66 Kbytes Page：11 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyduetolessheatgeneration ReducesPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequired *Cost-effectivereplacementformediumpowertransistorsBCP52andBCX52	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：196.31 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(PNP) Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting LCDback-lighting Supplylineswitchingcircuits.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
PBSS5160U	文件：133.73 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160U. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PBSS5160U	文件：247.33 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaverysmall SOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160U. 1.2Features nLowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat nHighcollectorcurrentcapabilityI	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160V	文件：153.79 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignals(BISS)transistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiencyleadingtolessheatgenerati	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PBSS5160V	文件：267.59 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyleadingtolessheatgeneration Reducesprinted-circuitboardarearequired *CosteffectivereplacementformediumpowertransistorsBCP52andBCX52	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PE-5160X	文件：293.4 Kbytes Page：8 Pages	GENERALPURPOSETRANSFORMERS2WattPulse,ElectrostaticallyShielded,500mWPulse,RFPulse,andControlTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
SM5160	文件：65.61 Kbytes Page：7 Pages	ProgramablePLLFrequencySynthesizer OVERVIEW TheSM5160CM/DMisaPLLfrequencysynthesizerICwithprogrammableinputandreferencefrequencydividers. TheSM5160CM/DMfeaturesanunlockdetector,outputsforusewithactivepassivelowpassfiltersanddirectfrequencydivideroutputs. TheSM5160CM/DMoperatesfrom0.95to2.00	NPC Nippon Precision Circuits Inc	NPC
SM5160CM	文件：65.61 Kbytes Page：7 Pages	ProgramablePLLFrequencySynthesizer OVERVIEW TheSM5160CM/DMisaPLLfrequencysynthesizerICwithprogrammableinputandreferencefrequencydividers. TheSM5160CM/DMfeaturesanunlockdetector,outputsforusewithactivepassivelowpassfiltersanddirectfrequencydivideroutputs. TheSM5160CM/DMoperatesfrom0.95to2.00	NPC Nippon Precision Circuits Inc	NPC
SM5160DM	文件：65.61 Kbytes Page：7 Pages	ProgramablePLLFrequencySynthesizer OVERVIEW TheSM5160CM/DMisaPLLfrequencysynthesizerICwithprogrammableinputandreferencefrequencydividers. TheSM5160CM/DMfeaturesanunlockdetector,outputsforusewithactivepassivelowpassfiltersanddirectfrequencydivideroutputs. TheSM5160CM/DMoperatesfrom0.95to2.00	NPC Nippon Precision Circuits Inc	NPC

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詳細參數

型號：
PBSS5160DS T/R
功能描述：
兩極晶體管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多PBSS5160DS T/R供應商更新時間2021-9-14 10:50:00

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