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PBSS4160DS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PBSS4160DS
廠商型號(hào)

PBSS4160DS

參數(shù)屬性

PBSS4160DS 封裝/外殼為SC-74,SOT-457;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列;產(chǎn)品描述:TRANS 2NPN 60V 1A SC-74

功能描述

60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

B8

封裝外殼

SC-74 / SC-74,SOT-457

文件大小

329.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

NEXPERIA安世

中文名稱(chēng)

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-11 22:59:00

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PBSS4160DS規(guī)格書(shū)詳情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability: IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS4160DSZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    2 NPN(雙)

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    1A

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    60V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 1mA,5V

  • 功率 - 最大值:

    700mW

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-74,SOT-457

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS 2NPN 60V 1A SC-74

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7128
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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