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PBHV8140Z分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBHV8140Z
廠商型號

PBHV8140Z
參數(shù)屬性

PBHV8140Z 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 400V 1A SOT223
功能描述

500 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
絲印標識

V8140Z
封裝外殼

SC-73 / TO-261-4，TO-261AA
文件大小

274.3 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-2-21 22:30:00
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PBHV8140Z規(guī)格書詳情

Features

* High voltage

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

*High collector current gain (hFE) at high IC

* AEC-Q101 qualified

* Medium power SMD plastic package

產品屬性

  • 產品編號：

    PBHV8140Z,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 200mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    35 @ 500mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 1A SOT223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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