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PB020NE7N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PB020NE7N3G
廠商型號

PB020NE7N3G

功能描述

3Power-Transistor

絲印標(biāo)識

020NE7N

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

535.39 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-29 17:03:00

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PB020NE7N3G規(guī)格書詳情

Features

Optimized technology for synchronous rectification

Ideal for high frequency switching and DC/DC converters

Excellent gate charge X R pon Product (FOM)

Very low on-resistance Rosen)

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating; RoHS compliant

Qualified according to JEDEC for target applications

Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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