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AFT09S282N

N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

This80wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof720to960MHz. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1400mA,Pout=80WattsAvg.,InputSignalPAR=7.5dB@0.01ProbabilityonCCDF Featu

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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更多PAFT09S282N供應(yīng)商 更新時間2025-2-27 16:00:00

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