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P2N2907A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

P2N2907A
廠商型號(hào)

P2N2907A
參數(shù)屬性

P2N2907A 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 0.6A TO92
功能描述

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
封裝外殼

TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體
文件大小

91.94 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Continental Device India Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CDIL

中文名稱

Continental Device India Limited官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-3-4 22:30:00
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P2N2907A規(guī)格書詳情

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    P2N2907A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.6V @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 150mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    200MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 0.6A TO92

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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