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P16B6SB

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P16B6SB

Power MOSFETs 60V, 16A, N-channel

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

SA16B6

SCHOTTKYARRAYS

DESCRIPTION Dedicatedtobustermination,theSchottkyarraysSA12B5,SA16B3andSA16B6minimisestrayemissionsfromPCBtracks.Theyprovidesuitableterminationbyavoidingsignalreflexionsanddistortions. FEATURES ■12-BIT(SA12)OR16-BIT(SA16)DUALSCHOTTKYDIODEARRAYS ■REVERSEVOLT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

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更多P16B6SB供應商 更新時間2025-2-11 9:00:00

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