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OP113FSZ

Low Noise, Low Drift Single-Supply Operational Amplifiers

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

OP113FSZ-REEL

Low Noise, Low Drift Single-Supply Operational Amplifiers

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

OP113FSZ-REEL7

Low Noise, Low Drift Single-Supply Operational Amplifiers

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

OPI113

OPTICALLYCOUPLEDISOLATORS

Description: EachOptoisolatorinthisdatasheetcontainsaninfraredLightEmittingDiode(LED)andaNPNsiliconPhotosensor.TheOPI110andOPI1264deviceshave890nmLightEmittingDiode(LED)andNPNphototransistorsensor,whereastheOP113hasa890nmLEDandaphotodarlingtonsensor.T

Optek

OPTEK Technologies

OPI113

OpticallyCoupledIsolator

Optek

OPTEK Technologies

PBRN113E

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=1k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113E

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=1kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113E_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=1kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113EK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=1k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113EK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=1kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ES

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=1k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ES

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=1kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=1k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ET

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=1kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ET-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113Z_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    OP113FSZ

  • 功能描述：

    IC OPAMP GP 3.4MHZ LN 40MA 8SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：

    Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 放大器類型：

    RF/IF 差分

  • 電路數(shù)：

    1

  • 輸出類型：

    差分

  • 轉(zhuǎn)換速率：

    9800 V/µs

  • 增益帶寬積：

    -

  • -3db帶寬：

    2.9GHz 電流 -

  • 輸入偏壓：

    3µA 電壓 -

  • 輸入偏移：

    - 電流 -

  • 電源：

    40mA 電流 -

  • 輸出/通道：

    - 電壓 -

  • 電源，單路/雙路(±)：

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    16-VQFN 裸露焊盤，CSP

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    16-LFCSP-VQ

  • 包裝：

    剪切帶(CT)

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    551(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    ADL5561ACPZ-R7CT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Analog Devices Inc.
24+
8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
25000
in stock線性IC-原裝正品
 詢價(jià)
ADI
2022
SOP8
990
原廠原裝正品,價(jià)格超越代理
 詢價(jià)
ANALOGDEVICES
2020+
SOP8
9500
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
ADI(亞德諾)
24+
10000
真實(shí)原裝現(xiàn)貨庫存，聯(lián)系徐小姐13714450367，QQ 2850151739
 詢價(jià)
ADI
22+
SOP8
6883
全新原裝正品 現(xiàn)貨 優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價(jià)
Analog Devices Inc.
22+
8-SOIC
12000
儀器儀表運(yùn)算放大器緩沖器芯片,只做原裝,原盤原包。
 詢價(jià)
ADI/亞德諾
23+
SOP-8
9373
原裝優(yōu)勢公司現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
AD
23+
SOP
20000
只有原裝正品
 詢價(jià)
AD
23+
SOP
20000
原裝，可配單
 詢價(jià)
ADI(亞德諾)
23+
SOP-8
7862
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
更多OP113FSZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-23 19:09:00

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