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NXH35C120L2C2S1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXH35C120L2C2S1G
廠商型號

NXH35C120L2C2S1G
參數(shù)屬性

NXH35C120L2C2S1G 封裝/外殼為26-PowerDIP 模塊（1，199"，47，20mm）；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
功能描述

TMPIM 35 A CIB/CI Module
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
封裝外殼

26-PowerDIP 模塊（1，199"，47，20mm）
文件大小

277.71 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-9 15:18:00
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NXH35C120L2C2S1G價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

NXH35C120L2C2S1G規(guī)格書詳情

NXH35C120L2C2S1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NXH35C120L2C2S1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NXH35C120L2C2S1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • 配置：

    三相反相器，帶制動器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，35A

  • 輸入：

    三相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    26-PowerDIP 模塊（1，199"，47，20mm）

  • 供應商器件封裝：

    26-DIP

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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22+
4000
原裝現(xiàn)貨,假一罰十
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24+
1476
原裝現(xiàn)貨,免費供樣,技術支持,原廠對接
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22+
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原裝正品支持實單
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23+
N/A
6000
公司只做原裝，可來電咨詢
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23+
原廠原封
18
訂貨1周 原裝正品
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