首頁(yè)>NXH160T120L2Q2F2S1G>規(guī)格書(shū)詳情
NXH160T120L2Q2F2S1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NXH160T120L2Q2F2S1G |
| 參數(shù)屬性 | NXH160T120L2Q2F2S1G 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：PIM POWER MODULE |
| 功能描述 | Split T-Type NPC Power Module |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | Q2PACK-Case180AK / 模塊 |
| 文件大小 |
296.95 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-9 11:06:00 |
| 人工找貨 | NXH160T120L2Q2F2S1G價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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NXH160T120L2Q2F2S1G規(guī)格書(shū)詳情
NXH160T120L2Q2F2S1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXH160T120L2Q2F2S1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NXH160T120L2Q2F2S1G
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤(pán)
- 配置：
三級(jí)反相器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，160A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
56-PIM/Q2PACK（93x47）
- 描述：
PIM POWER MODULE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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