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NX6350GP中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NX6350GP
廠商型號(hào)

NX6350GP

功能描述

LASER DIODE

文件大小

694.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-7 20:00:00

NX6350GP規(guī)格書詳情

1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

FOR 40GBASE-LR4 & 10 Gb/s E-PON ONU APPLICATION

DESCRIPTION

The NX6350GP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum

Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with

InGaAs monitor PIN-PD.

APPLICATIONS

? 40GBASE-LR4

? 10 Gb/s E-PON ONU

? Bi-Directional 10G SFP+ (CPRI,10G-Ethernet)

FEATURES

? Optical output power PO = 8.5 mW

? Low threshold current Ith = 8 mA

? Differential efficiency ηd = 0.35 W/A

? Wide operating temperature range TC = ?5 to +85°C

? InGaAs monitor PIN-PD

? CAN package φ 5.6 mm

? Focal point 7.5 mm

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