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NX6008NBK中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NX6008NBK
廠商型號(hào)

NX6008NBK

功能描述

60 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

SQ

封裝外殼

SOT23

文件大小

278.72 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-31 11:39:00

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NX6008NBK規(guī)格書詳情

description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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