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NX5315EH中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NX5315EH
廠商型號

NX5315EH

功能描述

LASER DIODE

文件大小

263.35 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-5 23:00:00

NX5315EH規(guī)格書詳情

1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION

InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

DESCRIPTION

The NX5315EH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured

Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. This device is

designed for application up to 1.25 Gb/s.

APPLICATION

? FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system

FEATURES

? Optical output power Po = 13.0 mW

? Low threshold current lth = 6 mA

? Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A

? Wide operating temperature range TC = ?40 to +85°C

? InGaAs monitor PIN-PD

? CAN package φ 5.6 mm

? Focal point 6.35 mm

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NX5315EH

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全稱:

    CEL

  • 功能描述:

    1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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