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NVR1P02T1G_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET中天科工二部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NVR1P02T1G
- 功能描述:
MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
中天科工半導體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機:
13128990370
- 詢價:
- 電話:
13128990370/微信同號
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B
相近型號
- NVP1208N
- NVR5198NLT1G
- NVP1204
- NVS4001NT1G
- NVP1118B
- NVS4409NT1G
- NVP1114B
- NVT2001GMZ
- NVP1114A
- NVT2002DP
- NVP1108T
- NVT2002DP,118
- NVP1108B
- NVT2002DP118
- NVP1108
- NVT2002GD
- NVP1104B
- NVT2002TLH
- NVP1104A
- NVT2003DP
- NVP1104
- NVT2003DP,118
- NVP1004MX
- NVT2006BQ
- NVMYS8D0N04CTWG
- NVT2006BQ,115
- NVMYS7D3N04CLTWG
- NVT2006BS
- NVMYS6D2N06CLTWG
- NVT2006BS,118
- NVMYS5D3N04CTWG
- NVT2006PW
- NVMYS4D6N04CLTWG
- NVT2006PW,118
- NVMYS4D1N06CLTWG
- NVT2008BQ
- NVMYS3D5N04CTWG
- NVT2008BQ,115
- NVMYS3D3N06CLTWG
- NVT2008PW
- NVMYS2D9N04CLTWG
- NVT2008PW,118
- NVMYS2D4N04CTWG
- NVT2010BS,115
- NVMYS2D2N06CLTWG
- NVT2010PW
- NVMYS2D1N04CLTWG
- NVT2010PW,118
- NVMYS1D3N04CTWG
- NVT4557HKX