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NVD5C464NLT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NVD5C464NLT4G |
| 參數(shù)屬性 | NVD5C464NLT4G 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：T6 40V DPAK EXPANSION AND |
| 功能描述 | Power MOSFET 40 V, 5.2 m, 64 A, Single N??hannel |
| 文件大小 |
241.8 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-29 17:22:00 |
NVD5C464NLT4G規(guī)格書詳情
NVD5C464NLT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD5C464NLT4G晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
Features
? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NVD5C464NLT4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
18A（Ta），64A（Tc）
- 描述：
T6 40V DPAK EXPANSION AND
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMI |
22+ |
NA |
30000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ON |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價 | ||||
ON |
23+ |
TO-252 |
1500 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
DPAK-3 |
9555 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
6000 |
詢價 | |||||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 |
