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NTP30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP30N06L	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP30N06L	文件：1.31343 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTP30N06LG	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP30N06LG	文件：1.31343 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTX30N06G	文件：1.32103 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P30N06LE	文件：1.31334 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
P30N06TA	文件：1.3133 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RFP30N06LE	文件：1.32291 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RFP30N06LE	文件：80.85 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP30N06LE	文件：91.17 Kbytes Page：6 Pages	30A,60V,ESDRated,AvalancheRated,LogicLevelN-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs Description TheRFP30N06LE,RF1S30N06LEandRF1S30N06LESMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theywere	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
RFP30N06LE	文件：188.99 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RLD30N06	文件：521.409 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheRLD30N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON), lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. Application Lithiumbatteryprotection Wirele	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SFD30N06	文件：1.01382 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
SFD30N06	文件：1.05013 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFD30N06	文件：897.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFP30N06	文件：1.31327 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFP30N06	文件：947.97 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingSemiWell’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,havealowgatechargewithsuperiorswitchingperformance,andruggedavalanchecharacteristics.ThisP	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
STP30N06	文件：1.31583 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STP30N06	文件：206.32 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.045? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS

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詳細參數(shù)

型號：
NTP30N06L
功能描述：
MOSFET NFET 60V 30A LL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NTP30N06L	ON	24+	TO-2203LEADSTANDA	8866		詢價
深圳市華來深電子有限公司	NTP30N06L	ON	23+	TO-220-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市近平電子有限公司	NTP30N06L	ON	6000	面議	19	DIP/SMD	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	NTP30N06L	ON	20+	TO-2203LEADSTANDA	36900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	NTP30N06L	O	2020+	TO-220A	80000	只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	NTP30N06L	ON	2023+	TO-220	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	NTP30N06L	ON	24+	TO-220	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	NTP30N06L	ON/安森美	23+	TO-2203LEADSTANDA	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NTP30N06L	ON/安森美	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NTP30N06L	ON/安森美	21+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價

更多NTP30N06L供應(yīng)商更新時間2025-1-7 15:30:00

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