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NTMT045N065SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, Power88

Features ?Typ.RDS(on)=33m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=162pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175?C ?RoHSCompliant TypicalApplications ?SMPS(SwitchingModePowerSupplies)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTBG045N065SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–31mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(o

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多NTMT045N065SC1_V01供應商 更新時間2025-6-24 8:00:00

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