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NTMS10P02R2

Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P??hannel Enhancement??ode Single SO?? Package

MOSFET–Power,Single,P-Channel,EnhancementMode,SOIC-8-10Amps,-20Volts Features ?UltraLowRDS(on) ?HigherEfficiencyExtendingBatteryLife ?LogicLevelGateDrive ?MiniatureSOIC?8SurfaceMountPackage ?DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery ?AvalancheEnergySpecified

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMS10P02R2

P-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-10A(VGS=-10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

NTMS10P02R2

Power MOSFET ??0 Amps, ??0 Volts P??hannel Enhancement??ode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMS10P02R2G

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?BuiltinESDProtectionwithZenerDiode ?TypicalESDPerformance:1800V ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PortableDevices -LoadSwitch -BatterySw

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NTMS10P02R2_06

Power MOSFET ??0 Amps, ??0 Volts P??hannel Enhancement??ode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTMS10P02R2G

Power MOSFET ??0 Amps, ??0 Volts P??hannel Enhancement??ode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NTMS10P02R2

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 10A P-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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更多NTMS10P02R2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 16:23:00

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