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NTMFS4899NFT1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTMFS4899NFT1G
廠商型號

NTMFS4899NFT1G

功能描述

Power MOSFET

文件大小

119.79 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 11:41:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTMFS4899NFT1G

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
23+
標準封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
ON(安森美)
23+
SO-8FL
14400
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ON
2018+
QFN
11256
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ONSEMI/安森美
22+
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ON/安森美
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QFN
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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