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NTMFD0D9N02P1E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NTMFD0D9N02P1E |
| 參數(shù)屬性 | NTMFD0D9N02P1E 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列；產(chǎn)品描述：PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12 |
| 功能描述 | MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, Power Trench, Power Clip, Asymmetric |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | PQFN8 |
| 文件大小 |
510.25 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-30 20:00:00 |
NTMFD0D9N02P1E規(guī)格書詳情
NTMFD0D9N02P1E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NTMFD0D9N02P1E晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NTMFD0D9N02P1E
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 包裝：
卷帶（TR）
- 描述：
PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SO-8FL |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
90000 |
公司集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨- |
詢價(jià) | |||||
ON/安森美 |
51 |
DFN-8 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+23+ |
DFN-8 |
33719 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
24+ |
DFN-8 |
7671 |
原裝正品.優(yōu)勢(shì)專營(yíng) |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
DFN-8 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
2020+ |
DFN-8 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ON |
2022+ |
DFN-8 |
8600 |
英瑞芯只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
DFN-8 |
17880 |
原裝正品 |
詢價(jià) |
