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NTH4L018N075SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTH4L018N075SC1
廠商型號

NTH4L018N075SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 13.5 mohm, 750V, M2, TO-247-4L

文件大小

262.59 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-16 11:11:00

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NTH4L018N075SC1規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 13.5 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 18 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 262 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 365 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Solar Inverters

? Electric Vehicle Charging Stations

? Uninterruptable Power Supplies (UPS)

? Energy Storage Systems

? Switch Mode Power Supplies (SMPS)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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