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NTE102A中文資料NTE數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTE102A
廠商型號

NTE102A

功能描述

Germanium Complementary Transistors Medium Power Amplifier

文件大小

19.09 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 NTE Electronics
企業(yè)簡稱

NTE

中文名稱

NTE Electronics官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-1 18:46:00

NTE102A規(guī)格書詳情

Description:

The NTE102A (PNP) and NTE103A (NPN) are Germanium complementary transistors in a TO1 type package designed for use as a medium power amplifier.

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . 32V

Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650mW

Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . +90°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +90°C

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTE102A

  • 制造商:

    NTE Electronics

  • 功能描述:

    TRANSISTOR PNP GERMANIUM 32V 1A TO-1 MEDIUM DRIVER

  • 功能描述:

    TRANSISTOR PNP 1A TO-1

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1

  • 功能描述:

    T-PNP- GE-AF PREAMP-DR-PO

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1; Transistor

  • Polarity:

    PNP; Power Dissipation

  • Pd:

    650mW; DC Collector

  • Current:

    1A; DC Current Gain

  • hFE:

    63; No. of

  • Pins:

    3 ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

  • 功能描述:

    Trans GP BJT PNP 1A 3-Pin TO-1

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