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NTD6600N-1G

Power MOSFET 100 V, 12 A, N??hannel, Logic Level DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD6600N-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=146mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD6600N-1

PowerMOSFET100V,12A,N??hannel,LogicLevelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NTD6600N-1G

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
23+
TO-251
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
ON/安森美
23+
IPAK
10000
公司只做原裝正品
 詢價
VB
21+
TO251
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
O
22+
TO251
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
O
23+
TO251
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
ON Semiconductor
2022+
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251A
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
O
22+
TO251
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
ON/安森美
22+
IPAK
99461
詢價
ON/安森美
21+
DPAK
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866
詢價
更多NTD6600N-1G供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:31:00

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