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NTD4808NT4G

Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK

MOSFET–Power,Single,N-Channel,DPAK/IPAK30V,63A Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses ?NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandContr

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安森美半導體安森美半導體公司

NTD4808NT4G

Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N??hannel, DPAK/IPAK

MOSFET–Power,Single,N-Channel,DPAK/IPAK30V,63A Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses ?NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandContr

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Power MOSFET

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NVD4808NT4G

N-channelAdvancedModePowerMOSFET

Features ?VDS=40V,ID=150A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

NVD4808NT4G

PowerMOSFET30V,63A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK

MOSFET–Power,Single,N-Channel,DPAK/IPAK30V,63A Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses ?NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandContr

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PowerMOSFET

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    NTD4808NT4G

  • 功能描述：

    MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
2024+
TO252
32560
原裝優(yōu)勢絕對有貨
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ON/安森美
21+
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9800
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TO-252
2250
原裝原廠代理 可免費送樣品
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6600
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
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更多NTD4808NT4G供應商 更新時間2024-11-7 16:48:00

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