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NTD3055L104-1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTD3055L104-1G
廠商型號

NTD3055L104-1G

功能描述

Power MOSFET

文件大小

74.23 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 14:47:00

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NTD3055L104-1G規(guī)格書詳情

Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts, Logic Level N?Channel DPAK

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

Features

? Pb?Free Packages are Available

? Lower RDS(on)

? Lower VDS(on)

? Tighter VSD Specification

? Lower Diode Reverse Recovery Time

? Lower Reverse Recovery Stored Charge

Typical Applications

? Power Supplies

? Converters

? Power Motor Controls

? Bridge Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTD3055L104-1G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 12A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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