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NTBV75N06T4G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NTBV75N06T4G
廠商型號(hào)

NTBV75N06T4G

功能描述

Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, N?Channel TO?220 and D2PAK

文件大小

176.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 22:30:00

NTBV75N06T4G規(guī)格書(shū)詳情

Designed for low voltage, high speed switching applications in

power supplies, converters and power motor controls and bridge

circuits.

Features

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

? NTBV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

Typical Applications

? Power Supplies

? Converters

? Power Motor Controls

? Bridge Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NTBV75N06T4G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    *

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TMEC
2020+
SMD
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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16+
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2500
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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ON Semiconductor
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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ON/安森美
22+
D2PAK
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)