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NTBG020N120SC1_V02中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTBG020N120SC1_V02
廠商型號(hào)

NTBG020N120SC1_V02

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

文件大小

346.77 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-18 18:30:00

NTBG020N120SC1_V02規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 20 m

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC?DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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