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NSVMUN5136T1G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NSVMUN5136T1G品牌：onsemi

資料說明：BIAS RESISTOR TRANSISTOR

NSVMUN5136T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝SC-70，SOT-323的NSVMUN5136T1G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項(xiàng)目成本。

  • 芯片型號(hào)：

    nsvmun5136t1g

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    BIAS RESISTOR TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NSVMUN5136T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-70（SOT323）

  • 描述：

    BIAS RESISTOR TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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