NSVDTA143EM3T5G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:NSVDTA143EM3T5G品牌:onsemi

資料說明:TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

NSVDTA143EM3T5G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝SOT-723的NSVDTA143EM3T5G晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

  • 芯片型號:

    nsvdta143em3t5g

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NSVDTA143EM3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-723

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

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