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NST847BDP6T5G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NST847BDP6T5G
廠商型號

NST847BDP6T5G
功能描述

Dual General Purpose Transistor
文件大小

99.33 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-24 20:00:00
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產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    NST847BDP6T5G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT DUAL NPN GP TRANS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
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