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NSS60200L

低飽和壓晶體管，PNP，-60 V，4.0 A

ON Semiconductor e2 PowerEdge family of Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energ; ? High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)\n? Improved Circuit Efficiency, Decreased Battery Charge Time, Reduce component count, High Frequency Switching, Smaller Portable Product, No distortion\n? NSV Prefix for Automo;

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSS60200L

PNP Transistor

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NSS60200L

60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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NSS60200L_15

60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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NSS60200LT1G

60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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NSS60200LT1G

60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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PNP Transistor

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NSS60200LT1G

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

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技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • AEC Qualified：

    A

  • Halide free：

    H

  • PPAP Capablee：

    P

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    PNP

  • Type：

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)：

    0.22

  • IC Cont. (A)：

    2

  • VCEO Min (V)：

    60

  • VCBO (V)：

    80

  • VEBO (V)：

    7

  • VBE(sat) (V)：

    0.9

  • VBE(on) (V)：

    0.85

  • hFE Min：

    150

  • fT Min (MHz)：

    100

  • PTM Max (W)：

    0.54

  • Package Type：

    SOT-23-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSemiconductor
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7500
詢價
ON
24+
SOT-23
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
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24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
ON
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
 詢價
安森美
21+
12588
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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更多NSS60200L供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 15:30:00

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