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NSS12100UW3TCG

12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSS12100UW3TCG

PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSS12100UW3TCG

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:3-WDFN 裸露焊盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 12V 1A 3WDFN

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSS12100UW3TCG_14

PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NSV12100UW3TCG

PNPTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NSS12100UW3TCG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    440mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-WDFN(2x2)

  • 描述:

    TRANS PNP 12V 1A 3WDFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
onsemi
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3-WDFN 裸露焊盤
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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詢價(jià)
更多NSS12100UW3TCG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 10:12:00