NSBC123JPDXV6T5G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP納艾斯

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  • 廠家型號(hào):

    NSBC123JPDXV6T5G

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    80000

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT-563

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2020+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-26 11:12:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):NSBC123JPDXV6T5G品牌:ON

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  • 芯片型號(hào):

    NSBC123JPDXV6T5G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    172.91 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Complementary Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    NSBC123JPDXV6T5G

  • 功能描述:

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性:

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作頻率:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    肖小姐

  • 手機(jī):

    13117514091

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真:

    0755-82707495

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格大廈5803A