首頁>NSBC123JPDP6T5G>詳情

NSBC123JPDP6T5G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BRT COMPLEMENTARY粵駿騰電子

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NSBC123JPDP6T5G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    16000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMD

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-12-25 13:20:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NSBC123JPDP6T5G品牌：ON/安森美

原裝現(xiàn)貨

  • 芯片型號：

    NSBC123JPDP6T5G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    172.91 kb

  • 資料說明：

    Complementary Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NSBC123JPDP6T5G

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BRT COMPLEMENTARY

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市粵駿騰電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13530559292

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82532966/82532557

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場6609室

相近型號