首頁>NSBC113EDXV6T1G>規(guī)格書詳情

NSBC113EDXV6T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NSBC113EDXV6T1G
廠商型號

NSBC113EDXV6T1G

功能描述

Dual NPN Bias Resistor Transistors

文件大小

145.21 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-5 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NSBC113EDXV6T1G

  • 功能描述:

    TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    70mA,100mA 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    50V 電阻器 -

  • 基極(R1)(歐):

    47k,2.2k 電阻器 -

  • 發(fā)射極(R2)(歐):

    47k 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE):

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):

    300mV @ 500µA,10mA 電流 -

  • 集電極截止(最大):

    - 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換:

    100MHz,200MHz 功率 -

  • 最大:

    250mW

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PG-SOT363-6

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 其它名稱:

    SP000784046

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
SOT-563
3727
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價
onsemi(安森美)
23+
SOT563
6000
誠信服務(wù),絕對原裝原盤
詢價
ONS
23+
NSBC113EDXV6
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
詢價
ON
SOT563
68900
原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
ON
2022+
NA
8600
原裝正品,歡迎來電咨詢!
詢價
ONSEMICONDU
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價
onsemi
24+
SOT-563,SOT-666
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
ON
1716+
?
7500
只做原裝進口,假一罰十
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價