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NSB8DT-E3/81

包裝：管件 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

UGB8DT-E3/81

UltrafastRectifier

FEATURES ?Powerpack ?Glasspassivatedpelletchipjunction ?Ultrafastrecoverytime ?Lowswitchinglosses,highefficiency ?Highforwardsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.,10sperJESD22-B10

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NSB8DT-E3/81

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    8A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    55pF @ 4V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263AB（D2PAK）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多NSB8DT-E3/81供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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