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NP83P06PDG-E1-AY規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NP83P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
? Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 8.8 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?41.5 A)
RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?41.5 A)
? High current rating: ID(DC) = ±83 A
產(chǎn)品屬性
- 型號:
NP83P06PDG-E1-AY
- 功能描述:
MOSFET P-CH -60V 83A TO-263
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
TO263 |
880000 |
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