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NP80N055DHE中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NP80N055DHE
廠商型號(hào)

NP80N055DHE

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

213.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 22:30:00

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NP80N055DHE規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

? Channel temperature 175 degree rated

? Super low on-state resistance

RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

? Low input capacitance

Ciss = 2400 pF TYP.

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP80N055DHE

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-262AA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
R
2020+
TO263
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