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NP50P04SLG-E2-AY	文件：241.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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NP50P04SLG-E2-AY

文件：241.04 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NP50P04SLG-E2-AY供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-18 18:39:00

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