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NP36P04KDG-E1-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36P04KDG-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP36P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?18A) RDS(on)2=23.5mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?18A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多NP36P04KDG-E1-AYNOTE供應(yīng)商 更新時間2025-3-1 14:37:00

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