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NP33N06YDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP33N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=16.5A) ?LowCiss:Ciss=2600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Des

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
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絕對進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
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更多NP33N06YDG-E2-AY供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 14:50:00

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